SLC NAND FLASH 常用型号
|
|
关键字：
|
SLC NAND FLASH 常用型号
持续跟新
NAND闪存可分为三大架构，分别是单层式储存（Single Level Cell），即SLC；多层式储存（Multi Level Cell），即MLC；多位式存储（Multi Bit Cell），即MBC。SLC技术与 EEPROM原理类似，只是在浮置闸极（Floating gate）与源极（Source gate）之中的氧化薄膜更薄，其数据的写入是透过对浮置闸极的电荷加电压，然后可以透过源极，即可将所储存的电荷消除，采用这样的方式便可储存每1个信 息位，这种技术的单一位方式能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于低硅效率的问题，必须由较先进的流程强化技术才能向上提升SLC制程技术，单片 容量目前已经很难再有大的突破，似乎已经发展到了尽头。
目前生产SLC NAND FLASH 的厂家主要有samsung sk hynix Toshiba CYPRESS WINBOND 旺宏等厂家。容量包括1Gb 2Gb 4Gb。
常用型号是：（持续更新中）
K9F1G08U0F-SCB0 SLC 1Gb
K9F2G08U0D-SCB0 SLC 2Gb
K9F4G08U0F-SCB0 SLC 4Gb
K9F4G08U0F-5CB0 SLC 4Gb
TC58NVG0S3HTA00 SLC 1Gb
TC58NVG1S3HTA00 SLC 2Gb
TC58NVG2S3HTA00 SLC 4Gb
TC58BVG0S3HTA00 SLC 1Gb
TC58BVG1S3HTA00 SLC 1Gb
MT29F1G08ABAEAWP:E SLC 1Gb
MT29F2G08ABAEAWP:E SLC 2Gb
MT29F4G08ABAEAWP:E SLC 4Gb
H27U1G8F2DTR-BC SLC 1Gb
H27U2G8F2DTR-BC SLC 2Gb
H27U4G8F2DTR-BC SLC 4Gb
|
【返回】
|
|