相变内存
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相变内存(PCM)的概念提了很多年，但早已经不是空中楼阁，而是悄然进入了实用。美光去年就首次实现了相变内存的量产，并在年底宣布已经用于诺基亚的Asha系列手机。
相变内存听起来很高端，但也没有什么神秘的。它综合了NOR、NAND等闪存的非易失性，RAM、EEPROM的位可变性、高速读写，可广泛用于PC、手机、嵌入式、消费电子等领域。
最早开发相变内存的是Numonyx(恒忆)，意法半导体、Intel各自内存部门分离出来后在2008年初共同成立的一家新公司，后来被美光收购。2009年，美光展示了1Gb相变内存，45nm工艺制造，存储单元面积0.015平方微米。2011年，三星投产了NOR兼容的65nm相变内存，并用在了三星自己的GT-E2550 GSM功能手机中，但产量和销量都极少。
2013年初，美光终于量产了面向手机的相变内存，使用45nm工艺，而且首次使用了MCP多芯片封装，以及普通的LPDDR2内存接口，LPDDR2-PCM、LPDDR2-DARM这两个内核共用同样的内存总线。
手机主板，黄框中就是美光相变内存。
内存颗粒正反面，编号MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA，121-ball FBGA封装，尺寸11×10×0.9毫米。
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